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静电放电主要通过放电辐射、静电感应、电磁感应和传导耦合等途径危害电子设备。静电放电属于脉冲式干扰，它对电子电路的干扰一般取决于脉冲幅度、宽度及脉冲的能量。一些静电放电时带电电压或能量虽然不大，但由于在极短时间内起作用，其瞬间能量密度也会对期间和电路产生干扰和危害。

现代电子行业研发与生产过程中，大规模集成电路的应用愈加广泛。大规模集成电路具体积小、速度快的特点，正是由于其内部线路之间的间距短、面积小，但这必然以牺牲其耐压、耐流参数为昂贵代价。CMOS电路是集成电路中最常见的电路类型，其对静电极为敏感。特别是在越来越低的工作电压所设计的电路中，由于器件栅极氧化膜极薄，因而耐压界限很低，微小的电荷就能导致器件损坏。静电放电可是器件内部极间电容立即被充到高电压，使得氧化物遭到破坏，以致造成短路、开路、击穿和金属化层的熔融现象。

在电子元器件静电损害中，静电放电的损害往往只有10%造成电子元器件当时完全失效，通常表现为短路、开路以及参数的严重变化，超出其额定范围，器件完全丧失了其特定功能；而另外90%会潜伏下来，造成累积效应，一般情况下，一次ESD（静电释放）后不足以引起器件立即完全失效，但元器件内部会存在某种程度的轻微损伤，通常表现为参数有小的偏差或漂移，潜在失效并不明显，因为极易被人们忽视，若这种元器件继续带伤工作，随着ESD次数的增加，积累效应越来越明显，其损伤程度会逐渐加剧，最终必将导致失效。