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LCOS技术赏析
 更新时间:2007-10-9 14:28:41  ( 编辑:随云 )   

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LCOS技术特点

  LCOS是在传统的LCD基础上发展起来的,它继承了LCD技术的优点,同时也克服了LCD的不足之处,所以LCOS拥有诸多LCD所不具备的优点。

  1. 首先LCD是在石英玻璃基板上生长多晶硅,利用半导体技术在多晶硅(poly-silicon)上制作象素CMOS有源驱动电路和存储电容,这样无疑会占用象素一定的面积,导致开口率的。像素的开口率达到96%。(LCD一般是85%)。因此图像画面没有像素感,画面边缘更自然。

  2. 由于多晶硅(P-LCD)中电子迁移速率低,渡越时间比较长,所以显示画面会有延迟,直接影响到画面的刷新速率。而在LCOS技术中,采用反射式结构,渡越时间大大减少,显示画面延时和DLP技术相同,为12ms,而P-LCD的延时,在20ms左右。

  3. 其次,LCOS是反射式显示技术,可以避免LCD由于光源长时间的照射温升而导致LCD面板局部灼伤的问题。

  4. LCOS的驱动电路做在反射电极下面,芯片的像素分辨率可以做得很高,通常LCOS的基本分辨率为1400×1050,而LCD和DLP的常规分辨率为1024×768。

  5. LCOS的芯片为0.7",而P-LCD的显示芯片为1.3",LCD面板尺寸过大,制作工艺难以保证颜色大面积的均匀性。

  6. 体积小:LCOS可将驱动IC等外围线路完全整合至CMOS基板上,减少外围IC以及引线的数目,降低了封装成本,并使体积缩小,一般XGA(1024×768)TFT-LCD的外围引线达到2500多条。

  7. LCOS以单晶硅基板上的CMOS点阵取代多晶硅TFT点阵。相比之下,前者生产技术更为成熟。LCOS的整个工艺,可以分为前道的半导体CMOS制造和后道的夜景面板贴合封装过程。前道(0.35mm半导体工艺)CMOS电路设计、仿真、制造及测试技术都已经十分成熟,目前合格率可以达到90%以上;后道的液晶屏贴合封装过程成品率为30%,但是随着LCOS产品的发展和应用的增加,LCOS的价格下降空间还是很大的。

  从与LCOS相关联的显示技术进行比较,它是与高温多晶硅HTPS-LCD显示技术,DMD(Digital Mirror Device)数字光处理显示技术相对应的。简单来说,LCOS是直接与阴极射线显像管(CRT)显示技术、高温多晶硅液晶(Ploy-Si LCD)穿透式显示技术、DMD(Digital Micromirror Device)数字光学处理(DLP; Digital Light Projector)反射式显示技术具有相等同的地位。这三项技术目前发展已经相当成熟,但LCOS将成为大屏幕高分辨率低成本投影显示技术的新主流。


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